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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
87
左右 -248% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
25
读取速度,GB/s
3,155.6
19.5
写入速度,GB/s
870.4
15.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3782
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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