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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
87
左右 -248% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
25
读取速度,GB/s
3,155.6
17.4
写入速度,GB/s
870.4
16.6
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3908
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
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