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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
87
左右 -412% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
17
读取速度,GB/s
3,155.6
21.4
写入速度,GB/s
870.4
19.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3775
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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