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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
18.2
写入速度,GB/s
870.4
13.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3389
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
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