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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
87
左右 -172% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
32
读取速度,GB/s
3,155.6
14.8
写入速度,GB/s
870.4
8.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2533
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
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