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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
87
左右 -156% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
34
读取速度,GB/s
3,155.6
17.2
写入速度,GB/s
870.4
13.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3055
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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