RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
19.5
写入速度,GB/s
870.4
15.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3757
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link