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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
87
左右 -335% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
20
读取速度,GB/s
3,155.6
19.4
写入速度,GB/s
870.4
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3395
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
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Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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