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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9965604-001.D00G 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
87
左右 -149% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
35
读取速度,GB/s
3,155.6
10.5
写入速度,GB/s
870.4
8.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2353
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
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