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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9965662-012.A01G 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
11.9
写入速度,GB/s
870.4
8.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2489
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
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