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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kllisre DDR4-8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre DDR4-8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
87
左右 -89% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
46
读取速度,GB/s
3,155.6
11.4
写入速度,GB/s
870.4
8.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2311
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kllisre DDR4-8GB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
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