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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
87
左右 -61% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
54
读取速度,GB/s
3,155.6
10.0
写入速度,GB/s
870.4
8.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2354
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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