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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
18.4
写入速度,GB/s
870.4
14.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3456
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
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G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
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