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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
53
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
35
读取速度,GB/s
3,726.4
14.2
写入速度,GB/s
1,590.1
10.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2460
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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