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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 9905700-046.A00G 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
53
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
30
读取速度,GB/s
3,726.4
17.5
写入速度,GB/s
1,590.1
14.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3546
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
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