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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
53
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
34
读取速度,GB/s
3,726.4
16.7
写入速度,GB/s
1,590.1
12.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2584
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
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