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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
56
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.3
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
56
读取速度,GB/s
3,726.4
9.3
写入速度,GB/s
1,590.1
7.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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