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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
12.5
18.5
写入速度,GB/s
8.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3488
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
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