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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
10.9
18.4
写入速度,GB/s
7.5
14.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
3525
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
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