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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
92
左右 52% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
92
读取速度,GB/s
10.9
15.1
写入速度,GB/s
7.5
8.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
1640
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
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