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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
12.6
15.2
写入速度,GB/s
7.2
11.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2802
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-026.A00LF 4GB
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