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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
51
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
51
读取速度,GB/s
12.6
10.9
写入速度,GB/s
7.2
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2286
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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