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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Gesamtnote
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
73
Rund um 62% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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