RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около 62% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
73
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.3
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1843
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link