RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около 62% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
73
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.3
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1843
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link