RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около 62% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
73
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.3
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1843
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link