RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Причины выбрать
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 73
    Около 62% меньшая задержка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    15.2 left arrow 12.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.1 left arrow 8.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 73
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.6 left arrow 15.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.3 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2112 left arrow 1843

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Сравнения RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
модули RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
модули RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
модули RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
модули RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
модули RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
модули RAM