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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

総合得点
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

総合得点
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 73
    周辺 62% 低遅延
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB 考慮すべき理由
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 73
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2112 left arrow 1843

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB RAMの比較

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RAM Latency Calculator
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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