RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
73
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1843
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link