Porównanie pamięci RAM Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Wynik ogólny

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 73

Wokół strony 62% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.2 12.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.1 8.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2112 1843

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns