Comparação RAM Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Pontuação geral

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 73

Por volta de 62% menor latência

Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.2 12.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.1 8.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 12800

Por volta de 1.66 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2112 1843

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns