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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
52
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2096
2472
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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