RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Comparez
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Note globale
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
52
Autour de 56% latence réduite
Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
52
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
2472
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link