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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Comparez
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Note globale
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
52
Autour de 56% latence réduite
Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
52
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
2472
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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