RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
52
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
2472
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link