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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
52
左右 56% 更低的延时
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.5
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
52
读取速度,GB/s
13.6
20.5
写入速度,GB/s
9.4
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2472
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
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Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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