RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
36
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3001
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link