RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
36
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3001
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link