RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
36
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3001
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link