RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
36
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
36
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
3001
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link