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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
43
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2422
2298
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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