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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
43
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
38
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2422
2298
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparações de RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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