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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
43
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2422
2298
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
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