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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
43
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
38
Velocità di lettura, GB/s
14.4
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2422
2298
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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