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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
40
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
10600
Rund um 2.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
23400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
3310
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