RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Comparar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
40
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3310
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link