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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razões a considerar
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
40
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3310
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
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