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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
40
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
30
Velocità di lettura, GB/s
13.6
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
3310
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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