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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
40
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
3310
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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