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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
40
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
3310
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
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