Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Gesamtnote
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ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

Unterschiede

  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 8.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    22 left arrow 28
    Rund um -27% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 12.9
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 22
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 13.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 8.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2112 left arrow 2267
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