Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

总分
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

总分
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ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

差异

  • 更快的写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 8.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    22 left arrow 28
    左右 -27% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    13.6 left arrow 12.9
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    28 left arrow 22
  • 读取速度,GB/s
    12.9 left arrow 13.6
  • 写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 8.6
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2112 left arrow 2267
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RAM 1
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