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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
12.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2267
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
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