RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
12.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
10600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2267
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link