Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Punteggio complessivo
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ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.0 left arrow 8.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    22 left arrow 28
    Intorno -27% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.6 left arrow 12.9
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 22
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.9 left arrow 13.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 8.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2112 left arrow 2267
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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