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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA304G08-EDJ1B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2350
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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